cyclohexyl(triéthoxy)silane
Référence : CG-636
CG-636 (cyclohexyl(triéthoxy)silane) est utilisé comme silane donneur d’électrons dans les réactions de polymérisation du caoutchouc vulcanisé, de la résine de polypropylène et des oléfines SBR. Il améliore la résistance à la chaleur, la résistance à la traction, la résistance aux intempéries, la flexibilité, l’élasticité, la rigidité et la résistance à l’érosion. Il est utilisé pour synthétiser des résines de silicone à faible perméabilité et haute résistance au soufre, ainsi que pour la modification des semi-conducteurs optiques.
- Numéro CAS : 18151-84-3
- Numéro CE : N.A.
- Formule brute : C12H26O3Si
- Formule développée
- Aspect : liquide incolore et transparent
- Pureté : ≥ 98 %
Conditionnement et stockage
Ce produit peut être conditionné dans des fûts en plastique de 25 kg, des fûts en plastique de 200 kg ou des fûts en acier. D’autres formats d’emballage sont disponibles sur demande. Conserver dans un endroit frais, bien aéré et sec dans des récipients hermétiquement fermés, à l’abri de la lumière. Tenir à l’écart de l’humidité et des sources d’ignition. Assurez-vous que le couvercle est hermétiquement fermé et isole efficacement le produit de l’air ; l’humidité de l’air peut réagir rapidement, conduisant ainsi à l’hydrolyse et à la polymérisation. La durée de conservation dans l’emballage d’origine non ouvert est d’un an. Ce produit est irritant pour la peau et les yeux. En cas de contact avec la peau, laver avec du savon. En cas de contact avec les yeux, rincer immédiatement avec beaucoup d’eau.
Applications
Le CG-636 est utilisé comme silane donneur d’électrons dans les réactions de polymérisation du caoutchouc vulcanisé, de la résine de polypropylène et des oléfines SBR pour améliorer la résistance à la chaleur, la résistance à la traction, la résistance aux intempéries, la flexibilité, l’élasticité, la rigidité et la résistance à l’érosion.
Le CG-636 est utilisé pour synthétiser des résines de silicone à faible perméabilité et haute résistance au soufre, ainsi que pour la modification des semi-conducteurs optiques.
